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Eingebautes Schaltungselementpmos

P-MOSFET

P-Kanal-MOSFET (BSS84) für High-Side-Schalter.

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Wichtige Daten

Kategorie
Halbleiter
Simulationsmodell
Eingebautes Schaltungselement
Referenzpräfix
Q
Pins
3
Land-Pattern
SOT-23

Simulationsmodell

Level-1-MOSFET (Shichman-Hodges), Bulk an Source, konstante Gate-Kapazitäten. Der Typ wählt die SPICE-Modellkarte.

Grundelement
M
Modell und Grenzen

Level-1-MOSFET-Kanalmodell

Enthaltene Effekte

  • Sperr-, Linear- und Sättigungsbereich mit Kanallängenmodulation; rückwärts betriebener Kanal.
  • Konstante Gate-Source- und Gate-Drain-Kapazitäten, sofern im Parametersatz angegeben.

Modellgrenzen

  • Keine Body-Diode, kein Body-Effekt, Avalanche-Durchbruch, Unterschwellenstrom oder Temperaturverhalten.
  • Feste Kapazitäten qualifizieren weder Gate-Ladung noch Schaltverluste. Bauteilnamen belegen keine Kalibrierung gegen Herstellerdaten.

Referenzprüfungen außerhalb der Simulation

  • 24 NMOS-/PMOS-Gleichstrom-Arbeitspunkte mit ngspice Level 1 verglichen.
  • Vorhandene Referenzschaltungen mit belasteten NMOS-/PMOS-Schaltern.

Der Gleichstromvergleich verwendet |VGS| = 0; 1; 1,8; 3,3 V und |VDS| = 0,1; 1; 3,3 V mit dokumentierten Referenzparametern. Andere Bedingungen benötigen weitere Validierung.

Dokumentierter Prüfumfang, kein aktuelles Live-Prüfergebnis und keine Herstellerfreigabe. Simulationsergebnisse hängen von Parametern und Schaltung ab.

Modellparameter

PMOS_BSS84 PMOS
VTO-1.6
KP0.15
LAMBDA0.02
CGS2e-11
CGD5e-12

Pins 3

PinNameVerwendung
DDPassivDrain: an die Last (die Last geht nach GND)
GGPassivGate: Low = an; Pull-up zur Source hält ihn aus
SSPassivSource: an die Versorgung (High-Side-Schalter)

Parameter 1

Typmodel
StandardPMOS_BSS84
PMOS_BSS84

Leiterplatte

Geprüftes Land-PatternSOT-23